INTEL 3D NAND技術を搭載 インテルRSSD660Pシリーズ SSDPEKNW020T8X1 新作人気

容量(GB):2TB
NANDフラッシュメモリ:64-layer, QLC, Intel 3D NAND
シーケンシャルリード:最大1800MB / s、シーケンシャルライト:最大1800MB / s
ランダム4KBリード:最大220,000 IOPS、ランダム4KBライト:最大220,00 IOPS
インタフェース:PCIe * 3.0x4、NVMe *
フォームファクタ:80mm M.2 2280 / 外形寸法W22×D80mm、重量10g
消費電力:Active 100mW, Idle 40mW
動作温度:0℃?70℃

978351 :




















三菱 2PCS MITSUBISHI IGBT module QM150E2Y-H QM150E2YH

いらっしゃいませ